BSTU DSpace logo

Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.bstu.ru/jspui/handle/123456789/1223
Title: Использование GA в качестве сурфактанта для улучшения структурного совершенства слоев ALN и ALGAN, выращенных аммиачной МЛЭ
Authors: Мамаев, В. В.
Новикв, С.А.
Петров, С. И.
Зайцев, С. В.
Прохоренков, Д. С.
Keywords: гетероструктуры
AlN/AlGaN
оптоэлектронные приборы
свч транзисторы
Issue Date: 2017
Publisher: Издательство БГТУ им. В.Г. Шухова
Abstract: Представлены результаты выращивания слоев AlN методом высокотемпературной аммиачной МЛЭ с использованием Ga в качестве сурфактанта. Основными параметрами влияющими на кинетику роста и дефектообразование являются эффективные потоки прекурсоров и сурфактанта, а также температура подложки, которая ограничивает поток сурфактанта из-за десорбции Ga с поверхности. В частности, добавление потока Ga, равного потоку Al при температуре подложки 1150 °C не изменяет скорость роста, меняя при этом его кинетику. Такой подход позволяет повысить поверхностную подвижность адатомов и обеспечивает быстрый переход в режим 2D-роста. В гетероструктурах с двумерным электронным газом, выращенных с использованием сурфактанта была достигнута подвижность носителей до 2000 см2/В·с.
Description: Использование GA в качестве сурфактанта для улучшения структурного совершенства слоев ALN и ALGAN, выращенных аммиачной МЛЭ / В. В. Мамаев [и др.] // Вестник БГТУ им. В. Г. Шухова. - 2017. - №1. - С. 126-129.
URI: http://dspace.bstu.ru/jspui/handle/123456789/1223
Appears in Collections:2017 год

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
24. Мамаев.pdf1,05 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.