Получение слоев GaN и AlGaN С пониженной плотностью дислокаций методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака

Abstract

Представлены результаты выращивания нитридных наногетероструктур методом МЛЭ с ис- пользованием аммиака на отечественной установке STE3N. Показано, что использование высоко- температурных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных на сильно рассогласованных подложках при использовании аммиака и экстремально высокой температуре (до 1150ºС) и оптимизация усло- вий роста позволяют кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев и понизить плотность дислокаций в них до значений (4–5).109 см–2 в слое AlxGa1-xN (x=0.5) и (8–10).108 см–2 в слое GaN.