Влияние условий формирования гетероструктур на основе нитридов III-ей группы на структурное совершенство приборных структур для СВЧ транзисторов и оптоэлектронных приборов ультрафиолетового диапазона

Abstract

Показано, что использование высокотемпературных буферных слоев AlN/AlGaN, выращенных на сильно рассогласованных подложках методом МЛЭ при использовании аммиака и экстремально вы- сокой температуре (до 1150 ºС), позволяет кардинально улучшить структурное совершенство ак- тивных слоев и понизить плотность дислокаций в них до значений 4–5.109 см–2. Представлены ре- зультаты выращивания слоев AlN с использованием Ga в качестве сурфактанта. В гетерострукту- рах с двумерным электронным газом, выращенных с использованием сурфактанта была достигнута подвижность носителей до 2000 см2/В·с. Получены транзисторы С диапазона с КПД 50 % при удельной мощности 5 Вт/мм на 4ГГц. Представлены результаты выращивания буферных слоев AlxGa1-xN с высоким содержанием Al (x=70 %) для нитридных фотокатодов. Плотность дислокаций в слое Al0.7Ga0.3N, непосредственно прилегающем к активной области, составила 1–2·109 см-2. Были получены УФ фотокатоды, которые показали квантовую эффективность в режиме пропускания 14– 16 %.