Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.bstu.ru/jspui/handle/123456789/1788
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Нарцев, В. М. | - |
dc.contributor.author | Агеева, М. С. | - |
dc.contributor.author | Прохоренков, Д. С. | - |
dc.contributor.author | Зайцев, С. В. | - |
dc.contributor.author | Карацупа, С. В. | - |
dc.contributor.author | Ващилин, В. С. | - |
dc.date.accessioned | 2018-10-02T11:46:44Z | - |
dc.date.available | 2018-10-02T11:46:44Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.uri | http://dspace.bstu.ru/jspui/handle/123456789/1788 | - |
dc.description | Влияния условий осаждения высококачественны-х ALN и SIC на характеристики покрытий / Нарцев В. М. и [др.] // Вестник БГТУ им. В. Г. Шухова. - №6. - С. 168-172. | ru_RU |
dc.description.abstract | В работе на базе оборудования Центра высоких технологий (ЦВТ) БГТУ им. В.Г. Шухова были проведены первичные исследования влияния условий осаждения из магнетронной плазмы покрытий на их основные характеристики. Установлено, что увеличение доли О2 ведет к уменьшению скорости осаждения. Шероховатость покрытий закономерно увеличивается при снижении общего давления из-за более интенсивной кристаллизации и удаления подложки от мишени из-за формирования островковой структуры. | ru_RU |
dc.language.iso | other | ru_RU |
dc.publisher | Издательство БГТУ им. В.Г. Шухова | ru_RU |
dc.subject | микроэлектронника | ru_RU |
dc.subject | ЦВТ БГТУ им. В.Г. Шухова | ru_RU |
dc.subject | тонкие пленки АlN и SiС | ru_RU |
dc.subject | сканирующий электронный микроскоп | ru_RU |
dc.title | Влияния условий осаждения высококачественных ALN и SIC на характеристики покрытий | ru_RU |
dc.type | Article | ru_RU |
Располагается в коллекциях: | 2013 год |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
38. Ястребинский.pdf | 374.78 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.